基本信息
| 标准名称： | 通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法 |
| 英文名称： | Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction |
| 中标分类： | 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： | 1995-04-22 |
| 实施日期： | 1995-10-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 2010-01-20 |
| 归口单位： | 电子工业部标准化研究所 |
| 起草单位： | 电子工业部第46研究所 |
| 起草人： | 何秀坤、汝琼娜、李光平、段曙光 |
| 出版社： | 电子工业部标准化研究 |
| 出版日期： | 1995-09-01 |
| 页数： | 5页 |
适用范围
本标准规定了通过测定热退火前后硅片中间隙氧含量的减少来表征氧沉淀特性的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1Ω .CM 的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一
温度或双温度。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 综合 标准化管理与一般规定 技术管理